合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级_电脑百事网
当前位置:首页电脑电脑硬件电脑硬件知识合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

百事数码
2019-09-20 16:15 0

919日开幕的中国闪存技术峰会,合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲,指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别

在这个名为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲中,平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面临的技术挑战等问题,其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。

长鑫的技术来源已经不是秘密,此前在GSA+Memory存储峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,提到了长鑫的DRAM内存技术来源,主要就是已破产的奇梦达公司,获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片,耗资超过25亿美元。

奇梦达已经破产多年,他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平,平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别

不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的10nm级别到底是什么水平,理论上20nm之后的都可以叫做10nm级,但三星是在20nm18nm之后发展了1Xnm1Ynm1Znm,从1Xnm工艺才开始称作10nm级内存。

结合之前的报道,长鑫公司今年底会量产19nm工艺、8Gb核心的DDR4内存芯片,不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的10nm级内存。

不论是19nm还是其他工艺的内存,总体来说国内公司如果能在年底量产10nm级别的内存,起点还是非常高的,与国际先进水平的差距也就2-3年的样子,这个水平相比其他芯片的差距就小太多了。

为你推荐
热门文章
  • 1跃动无线 TL-WDR8650路由器值得上手
  • 2AMD 7年卖出5亿块显卡:数量超I/N 主机贡献29%
  • 3微软中国被列为被执行人,法律人士:微软并非成 “老赖”
  • 4微软 Win10 版本 2004 硬件加速 GPU 调度即将发布
  • 5电脑连续用了24小时 寿命到底减少了多少?
  • 6千万不要现在购买!苹果重新设计新iMac将在本月发布
  • 7只要415万日元 你就可以买到TOP500超算同款最强CPU
  • 8AMD发布苹果定制版Radeon Pro 5600M:Navi核心首次集成HBM2显存
  • 9显卡有必要更新驱动程序吗?老玩家给你的建议请收好
  • 10微软 Win10 Update 全面推送 Chromium 版 Edge :安装后无法删除
  • 意见反馈
    返回顶部